“中国芯”再遭围歼 三星SK喜忧参半详细内容如下

#“中国芯”再遭围歼 三星SK喜忧参半

据商场研究组织集邦咨询20日消息，中国芯当地时刻16日，再遭美国商务部将中国存储芯片制造商长江存储科技有限责任公司（YMTC）等36家中国科技企业列入交易实体清单（entity list），围歼对中国芯片职业的星SK喜细内打击力度晋级。各方猜测，忧参长江存储或许在2024年后退出3D NAND商场竞争。半详

这对于在中美之间“缝隙”生存的容下韩国芯片制造商来说是可以守住商场比例的利好消息，但也有定见以为，中国芯美国对华制裁政策将影响到韩企在中国国内的再遭出产工厂，有必要提早拟定对策。围歼

长江存储于2016年在湖北省武汉市建立，星SK喜细内是忧参一家专心于3D NAND闪存芯片的制造商，也是半详中国存储芯片职业的龙头企业。2020年之前在全球商场所占比例还不到1%，容下但本年第2季度已进步至3.4%。中国芯

尤其是前不久，长江存储打败美光科技、三星电子、SK海力士、铠侠电子等全球存储芯片职业的“资深玩家”，首先完成了200层以上的3D NAND出产。据加拿大芯片分析组织Tech Insights的陈述，长江存储的232层NAND已搭载杭州海康威视的闪存芯片CC700 2TB SSD上。

本年7月和8月，美光科技和SK海力士先后宣告成功研制232层和238层的NAND闪存，三星电子也于日前开端量产236层的第8代V-NAND闪存。长江存储此前因128层NAND闪存良率较低而被质疑技能水平，但此次在短时刻内首先试产第一批232层NAND闪存，令业界刮目相看。

但长江存储被列入美国商务部交易黑名单后，任何向其供给美国技能的公司或个人都需通过美国政府的同意，长江存储将很难继续从美方合作伙伴处取得设备零件和技能援助，这将直接影响到芯片的良率。集邦咨询日前将长江存储下一年的位元成长率（Bit Growth）猜测值从原先的60%大幅下调至7%。

集邦咨询称，长江存储因技能阻滞将重挫竞争力，商场比例将被其他品牌腐蚀，存储芯片事务恐将缩小至仅限中国商场，或退回出产2D闪存芯片，失掉扩展商场比例的时机。

长江存储的未来远景蒙上暗影，或令三星电子和SK海力士坐收“渔翁之利”。全球NAND闪存商场因需求不振和库存过剩，正遭受比DRAM更严格的“隆冬”，借此时机NAND闪存商场供需或趋于稳定，也为三星电子和SK海力士争取到更多与竞争对手摆开距离的时刻。

因为三星电子和SK海力士在中国西安、无锡和大连建有工厂，美国扩展对华商业出口禁令或许将成为影响出产的变数。

本年10月，美国商务部发布的出口控制办法制止美国企业向中国芯片出产商出口相关设备，但考虑到或“误伤”在华外企，三星电子、SK海力士和台积电取得为期一年的豁免。

业界人士指出，尽管三星和SK取得美方豁免，可在未来一年继续对华出口芯片出产设备，但这仅仅只是“延期”。往后若想继续在中国出产芯片有必要确保最新设备和零部件的供给顺利，应与美国政府继续洽谈寻求解决方案。